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連接器金屬外殼搭接不良對靜電放電抗擾度的影響

更新時(shí)間:2023-10-17      點(diǎn)擊次數(shù):595

一、現(xiàn)象描述

某產(chǎn)品在進(jìn)行靜電放電抗擾度測試時(shí),當(dāng)對產(chǎn)品中某PCB的DB連接器外殼(如下圖所示)進(jìn)行靜電放電(-4KV 接觸放電)時(shí),出現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位的現(xiàn)象。

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后來檢查該DB連接器,發(fā)現(xiàn)該連接器的外殼沒有和金屬外殼形成良好的搭接,用導(dǎo)電膠將DB連接器與外殼良好搭接后,再進(jìn)行測試(-6KV接觸放電),工作正常,系統(tǒng)不再復(fù)位。

靜電測試的示意圖如下圖所示,想要詳細(xì)了解靜電測試的實(shí)質(zhì)的話可以參考我之前的文章《EMC 測試實(shí)質(zhì)之ESD抗擾度》:

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究竟是什么原因?qū)е碌哪??想要分析靜電帶來的問題時(shí)可以從下面幾方面來考慮:
  • 首先判斷測試位置是連接器還是縫隙,連接器是金屬的還是其它的材料的,產(chǎn)品外殼是金屬還是其它材料。

  • 如果是金屬材料,分析產(chǎn)品是否接大地(也稱為PE),如果是浮地系統(tǒng),則看是否接了功能地。

  • 查看金屬連接器或者金屬按鍵等是否和金屬外殼搭接良好,金屬外殼是否接大地。

總之,靜電問題,一般都是接地不良或者金屬搭接不良導(dǎo)致的。

二、原因分析

靜電放電(如下圖所示)是一種瞬態(tài)能量高,寬頻譜的一種電磁騷擾 ,它主要通過以下兩種途徑來干擾EUT:

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  • 直接能量,瞬態(tài)的大電流導(dǎo)致內(nèi)部電路損壞(如IC芯片的損壞,)或者電路出現(xiàn)錯誤(出現(xiàn)閂鎖效應(yīng))。

  • 空間耦合,由上圖可知,ESD的前沿時(shí)間很短, 約 0.7-1ns, 其頻譜范圍可以達(dá)到數(shù)百M(fèi)Hz,所以稍微長一點(diǎn)的線纜,PCB中的微帶線或帶狀線都可能形成有效的耦合。

如前面所述,在測試中發(fā)現(xiàn)DB連接器的金屬外殼和產(chǎn)品外殼之間有很明顯的縫隙,從電路的角度來看,這個(gè)縫隙就等效為一個(gè)阻抗,在DB外殼上的靜電放電電流(如圖中虛線所示)的作用下,就會產(chǎn)生較高的壓降ΔU

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我們知道,在圖中存在分布電容的地方有如下幾個(gè)地方:

  • DB連接器外殼及機(jī)殼與內(nèi)部電路的地平面

  • DB連接器外殼及機(jī)殼與信號線之間

  • 其中DB連接器外殼及機(jī)殼與PCB中地平面之間的分布電容最大,如圖中Cp所示,該分布電容在靜電放電高頻干擾的情況下影響也最大。

在 ΔU 存在的情況下,必然導(dǎo)致一部分靜電放電電流經(jīng)分布電容Cp流向地平面, 最后流向大地,如圖中虛線 A 所示。

實(shí)際上,PCB中的地平面也并不是理想的地面,其并不完整(完整的地平面阻抗為3mΩ),存在一定的阻抗,因?yàn)橐话愕仄矫嫔弦欢ㄓ羞^孔,過孔的縫隙會導(dǎo)致阻抗不連續(xù)。

當(dāng)干擾電流流經(jīng)工作地平面時(shí),由于阻抗的存在, 就會出現(xiàn)壓降 ΔU1 , 而這個(gè) ΔU1就是造成電路混亂的元兇。

另外,ΔU也是常常是引起輻射發(fā)射的超標(biāo)的原因之一。

通過以上分析,我們可以認(rèn)為,如果阻抗不連續(xù),干擾信號就很難較快地泄放,這樣就會通過分布電容耦合到內(nèi)部電路,從而出現(xiàn)損壞或者內(nèi)部電路混亂。

如果搭接良好,靜電就會很快泄放到外殼上并導(dǎo)入到大地上(前提是外殼也接好大地)。

另外搭接良好,會使外殼具有更好的屏蔽效果,在靜電泄放過程中產(chǎn)生的電磁場就會被屏蔽在外殼外部, 從而保證了內(nèi)部電路的穩(wěn)定。

三、處理措施

為了保證DB連接器金屬外殼與產(chǎn)品外殼良好搭接,可以將DB連接器通過螺釘固定在外殼上面,使 DB連接器與金屬面板緊密連接。

從而保持了DB連接器外殼和金屬外殼的電連續(xù)性。這樣不僅能提高整機(jī)的屏蔽效能,還能使靜電騷擾電流通過金屬外殼很快地泄放掉, 問題得到了解決。

四、思考和啟示

經(jīng)過上面的分析,我們可以得到如下啟示:

  1. 防止靜電干擾直接耦合進(jìn)PCB的一個(gè)有效方法是將靜電干擾信號通過導(dǎo)體直接接到大地上。

  2. 要保持靜電放電點(diǎn)的阻抗連續(xù)。

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